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DRAM 구조와 동작 원리

과정 이미지
DRAM 구조와 동작 원리 과정정보
교육시간 8시간
수강기간 30일
강의구성 16차시
수강료 80,000원
과정소개

DRAM의 구조와 동작 원리를 알아보는 과정

 

교육대상

반도체 제조 공정 관련 직무 종사자

 

학습내용

1 . Memory introduction

2 . DRAM Market & fabrication process

3 . Basic concept(resistance/voltage)

4 . Basic concept(MOS capacitor/transistor)

5 . Basic fabrication process

6 . CMOS process flow

7 . DRAM cell

8 . DRAM frontend process flow

9 . DRAM backend process flow

10 . DRAM 3D cell/Test

11 . DRAM Package/component

12 . DRAM core/Sense Amp.

13 . DRAM refresh & timing

14 . DRAM history & DDR

15 . 6F2 and BL structure

16 . LPDDR/GDDR/HBM

 

▶수료기준

항목

진도율

진행단계평가

최종평가

과제

수료점수

평가비율

100%

0%

0%

0%

60점이상

수료조건

80%

없음

없음

없음

※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60 이상이어야 합니다.

학습목표
1. DRAM의 구조를 설명할 수 있다.
2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다.
강의목차
차시 강의명
1차시 1. Memory introduction
2차시 2. DRAM Market & fabrication process
3차시 3. Basic concept(resistancevoltage)
4차시 4. Basic concept(MOS capacitortransistor)
5차시 5. Basic fabrication process
6차시 6. CMOS process flow
7차시 7. DRAM cell
8차시 8. DRAM frontend process flow
9차시 9. DRAM backend process flow
10차시 10. DRAM 3D cellTest
11차시 11. DRAM Packagecomponent
12차시 12. DRAM coreSense Amp
13차시 13. DRAM refresh & timing
14차시 14. DRAM history & DDR
15차시 15. 6F2 and BL structure
16차시 16. LPDDRGDDRHBM
평가정보
평가정보
구분 배점 평가명
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