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- 과정정보
NAND Flash 구조와 동작원리 (초급)
과정소개
NAND Flash 구조와 동작원리 (초급)
▶교육대상
-반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . Memory introduction
2 . Data access & Market
3 . Basic concept (Doping)
4 . Basic concept (Energy-band)
5 . Basic concept (PN junction)
6 . History of MOS and NAND flash
7 . EPROM, EEPROM, Flash
8 . DRAM and Capacitance
9 . Floating Gate and Cell Vt
10 . NAND cell string
11 . NAND, NOR cell structure
12 . NAND read and MOS I-V curve
13 . NAND cell Vt distribution plot
14 . NAND read operation (1)
15 . NAND read operation (2)
16 . NAND read operation (3)
▶수료기준
|
항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
|
평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
|
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. NAND Flash의 구조에 대해 설명할 수 있다.
2. NAND Flash의 동작원리에 대해 설명할 수 있다.
2. NAND Flash의 동작원리에 대해 설명할 수 있다.
| 차시 | 강의명 |
|---|---|
| 1차시 | 1. Memory introduction |
| 2차시 | 2. Data access & Market |
| 3차시 | 3. Basic concept (Doping) |
| 4차시 | 4. Basic concept (Energy-band) |
| 5차시 | 5. Basic concept (PN junction) |
| 6차시 | 6. History of MOS and NAND flash |
| 7차시 | 7. EPROM, EEPROM, Flash |
| 8차시 | 8. DRAM and Capacitance |
| 9차시 | 9. Floating Gate and Cell Vt |
| 10차시 | 10. NAND cell string |
| 11차시 | 11. NAND, NOR cell structure |
| 12차시 | 12. NAND read and MOS I-V curve |
| 13차시 | 13. NAND cell Vt distribution plot |
| 14차시 | 14. NAND read operation (1) |
| 15차시 | 15. NAND read operation (2) |
| 16차시 | 16. NAND read operation (3) |
