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컨텐츠 내용
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- 과정정보
반도체 입문과 공학 기초
과정소개
반도체 입문과 공학 기초 과정
▶교육대상
- 반도체 개발 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . 최초의 컴퓨터 ENIAC
2 . 쿨롱의 법칙과 진공관
3 . 휴대폰과 반도체
4 . Digital 회로와 MOS transistor
5 . 전압, 전류 및 저항
6 . 회로패턴 형성의 원리
7 . 8대 공정과 플라즈마
8 . 최외각 전자와 도핑
9 . 실리콘웨이퍼와 반도체 제조원가
10 . Technology, Design rule
11 . 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM
12 . Mask revision과 반도체 제품의 분류
13 . 메모리의 구조 및 DRAM 동작원리
14 . Charge-sharing, DDR
15 . NOR, NAND flash memory
16 . MLC, 3D-NAND flash
17 . IDM, Fabless & Foundry
18 . 반도체 산업구조 및 System LSI Design flow
▶수료기준
항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. 반도체 입문과 공학 기초 과정을 이해하고 설명할 수 있다.
차시 | 강의명 |
---|---|
1차시 | 1. 최초의 컴퓨터 ENIAC |
2차시 | 2. 쿨롱의 법칙과 진공관 |
3차시 | 3. 휴대폰과 반도체 |
4차시 | 4. Digital 회로와 MOS transistor |
5차시 | 5. 전압, 전류 및 저항 |
6차시 | 6. 회로패턴 형성의 원리 |
7차시 | 7. 8대 공정과 플라즈마 |
8차시 | 8. 최외각 전자와 도핑 |
9차시 | 9. 실리콘웨이퍼와 반도체 제조원가 |
10차시 | 10. Technology, Design rule |
11차시 | 11-1. 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM (1) |
12차시 | 11-2. 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM(2) |
13차시 | 12. Mask revision과 반도체 제품의 분류 |
14차시 | 13. 메모리의 구조 및 DRAM 동작원리 |
15차시 | 14. Charge-sharing, DDR |
16차시 | 15. NOR, NAND flash memory |
17차시 | 16. MLC, 3D-NAND flash |
18차시 | 17. IDM, Fabless & Foundry |
19차시 | 18. 반도체 산업구조 및 System LSI Design flow |