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컨텐츠 내용

  1. 수강신청
  2. 과정정보

반도체 입문과 공학 기초

반도체 입문과 공학 기초 과정정보
교육시간 18시간
수강기간 30일
강의구성 19차시
수강료 120,000원
과정소개

반도체 입문과 공학 기초 과정

 

교육대상

반도체 개발 공정 관련 직무 종사자

 

학습내용

1 . 최초의 컴퓨터 ENIAC

2 . 쿨롱의 법칙과 진공관

3 . 휴대폰과 반도체

4 . Digital 회로와 MOS transistor

5 . 전압, 전류 및 저항

6 . 회로패턴 형성의 원리

7 . 8대 공정과 플라즈마

8 . 최외각 전자와 도핑

9 . 실리콘웨이퍼와 반도체 제조원가

10 . Technology, Design rule

11 . 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM

12 . Mask revision과 반도체 제품의 분류

13 . 메모리의 구조 및 DRAM 동작원리

14 . Charge-sharing, DDR

15 . NOR, NAND flash memory

16 . MLC, 3D-NAND flash

17 . IDM, Fabless & Foundry

18 . 반도체 산업구조 및 System LSI Design flow

 

▶수료기준

항목

진도율

진행단계평가

최종평가

과제

수료점수

평가비율

100%

0%

0%

0%

60점이상

수료조건

80%

없음

없음

없음

※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60 이상이어야 합니다.

학습목표
1. 반도체 입문과 공학 기초 과정을 이해하고 설명할 수 있다.
강의목차
차시 강의명
1차시 1. 최초의 컴퓨터 ENIAC
2차시 2. 쿨롱의 법칙과 진공관
3차시 3. 휴대폰과 반도체
4차시 4. Digital 회로와 MOS transistor
5차시 5. 전압, 전류 및 저항
6차시 6. 회로패턴 형성의 원리
7차시 7. 8대 공정과 플라즈마
8차시 8. 최외각 전자와 도핑
9차시 9. 실리콘웨이퍼와 반도체 제조원가
10차시 10. Technology, Design rule
11차시 11-1. 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM (1)
12차시 11-2. 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM(2)
13차시 12. Mask revision과 반도체 제품의 분류
14차시 13. 메모리의 구조 및 DRAM 동작원리
15차시 14. Charge-sharing, DDR
16차시 15. NOR, NAND flash memory
17차시 16. MLC, 3D-NAND flash
18차시 17. IDM, Fabless & Foundry
19차시 18. 반도체 산업구조 및 System LSI Design flow
평가정보
평가정보
구분 배점 평가명
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