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DRAM 구조와 동작 원리
- 교육기간
- 30일
- 강의구성
- 16차시
DRAM의 구조와 동작 원리를 알아보는 과정
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . Memory introduction
2 . DRAM Market & fabrication process
3 . Basic concept(resistance/voltage)
4 . Basic concept(MOS capacitor/transistor)
5 . Basic fabrication process
6 . CMOS process flow
7 . DRAM cell
8 . DRAM frontend process flow
9 . DRAM backend process flow
10 . DRAM 3D cell/Test
11 . DRAM Package/component
12 . DRAM core/Sense Amp.
13 . DRAM refresh & timing
14 . DRAM history & DDR
15 . 6F2 and BL structure
16 . LPDDR/GDDR/HBM
▶수료기준
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항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
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평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
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수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. DRAM의 구조를 설명할 수 있다.2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다.
강의목차(총 16강)
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1. 1. Memory introduction 32분
2. 2. DRAM Market & fabrication process 26분
3. 3. Basic concept(resistancevoltage) 28분
4. 4. Basic concept(MOS capacitortransistor) 30분
5. 5. Basic fabrication process 30분
6. 6. CMOS process flow 29분
7. 7. DRAM cell 28분
8. 8. DRAM frontend process flow 28분
9. 9. DRAM backend process flow 26분
10. 10. DRAM 3D cellTest 28분
11. 11. DRAM Packagecomponent 26분
12. 12. DRAM coreSense Amp 24분
13. 13. DRAM refresh & timing 28분
14. 14. DRAM history & DDR 26분
15. 15. 6F2 and BL structure 27분
16. 16. LPDDRGDDRHBM 29분
