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NAND Flash 구조와 동작원리 (초급)
- 교육기간
- 30일
- 강의구성
- 16차시
NAND Flash 구조와 동작원리 (초급)
▶교육대상
-반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . Memory introduction
2 . Data access & Market
3 . Basic concept (Doping)
4 . Basic concept (Energy-band)
5 . Basic concept (PN junction)
6 . History of MOS and NAND flash
7 . EPROM, EEPROM, Flash
8 . DRAM and Capacitance
9 . Floating Gate and Cell Vt
10 . NAND cell string
11 . NAND, NOR cell structure
12 . NAND read and MOS I-V curve
13 . NAND cell Vt distribution plot
14 . NAND read operation (1)
15 . NAND read operation (2)
16 . NAND read operation (3)
▶수료기준
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항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
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평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
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수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. NAND Flash의 구조에 대해 설명할 수 있다.2. NAND Flash의 동작원리에 대해 설명할 수 있다.
강의목차(총 16강)
-
1. 1. Memory introduction 24분
2. 2. Data access & Market 29분
3. 3. Basic concept (Doping) 25분
4. 4. Basic concept (Energy-band) 31분
5. 5. Basic concept (PN junction) 32분
6. 6. History of MOS and NAND flash 32분
7. 7. EPROM, EEPROM, Flash 30분
8. 8. DRAM and Capacitance 32분
9. 9. Floating Gate and Cell Vt 44분
10. 10. NAND cell string 37분
11. 11. NAND, NOR cell structure 30분
12. 12. NAND read and MOS I-V curve 38분
13. 13. NAND cell Vt distribution plot 40분
14. 14. NAND read operation (1) 30분
15. 15. NAND read operation (2) 43분
16. 16. NAND read operation (3) 22분
