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3D-NAND flash의 이해 (중급)
- 교육기간
- 30일
- 강의구성
- 16차시
3D-NAND flash의 이해 (중급)
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . NAND program operation
2 . Inhibit bias and Self-boosting
3 . Verify operation
4 . ISPP and MLC concept
5 . Back-gate tunneling and Excess program
6 . Block erase by FN tunneling
7 . Disturb and Cell-to-cell interference
8 . E/W cycle endurance and Data retention
9 . NAND controller
10 . NAND flash market & Foundry
11 . 3D-NAND concept
12 . 3D-NAND process architecture
13 . Summary (1)
14 . Summary (2)
15 . Summary (3)
16 . NAND flash memory chip function
▶수료기준
|
항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
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평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
|
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. 3D-NAND flash에 대해 설명할 수 있다.강의목차(총 16강)
-
1. 1 . NAND program operation 25분
2. 2 . Inhibit bias and Self-boosting 30분
3. 3 . Verify operation 43분
4. 4 . ISPP and MLC concept 47분
5. 5 . Back-gate tunneling and Excess program 22분
6. 6 . Block erase by FN tunneling 41분
7. 7 . Disturb and Cell-to-cell interference 22분
8. 8 . EW cycle endurance and Data retention 49분
9. 9 . NAND controller 37분
10. 10 . NAND flash market & Foundry 62분
11. 11 . 3D-NAND concept 45분
12. 12 . 3D-NAND process architecture 82분
13. 13 . Summary (1) 19분
14. 14 . Summary (2) 28분
15. 15 . Summary (3) 21분
16. 16 . NAND flash memory chip function 52분
