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![[반도체실무과정] 8대공정 불순물 주입 및 확산 공정 과정이미지](/theme/6/img/apply/view_blank.png)
[반도체실무과정] 8대공정 불순물 주입 및 확산 공정
- 교육기간
- 30일
- 강의구성
- 16차시
[반도체실무과정] 8대공정 시리즈
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . CMOS 소개와 Implant 용어 정리
2 . 이온 주입의 개요
3 . 이온 주입에 의한 농도분포
4 . Ion Implant Channeling
5 . 결함의 발생과 Annealing (1)
6 . 결함의 발생과 Annealing (2)
7 . 집적회로에의 응용
8 . Process Evaluation & Technology Trend
9 . Diffusion의 개요
10 . 산화공정 개요
11 . Si/SiO2 계면과 산화막의 용도
12 . 산화 속도의 영향 요소와 SiO2/Si 계면 전하
13 . 불순물의 재분포와 Oxide Quality 요구 조건
14 . 확산의 정의
15 . ANNEAL
16 . 확산 공정의 측정, 평가 및 불량 유형
▶수료기준
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항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
|
평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
|
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. 반도체 8대공정 중 불순물 주입 및 확산 공정에 대해 설명할 수 있다.강의목차(총 16강)
-
1. 1 . CMOS 소개와 Implant 용어 정리 31분
2. 2 . 이온 주입의 개요 23분
3. 3 . 이온 주입에 의한 농도분포 27분
4. 4 . Ion Implant Channeling 30분
5. 5 . 결함의 발생과 Annealing (1) 20분
6. 6 . 결함의 발생과 Annealing (2) 30분
7. 7 . 집적회로에의 응용 25분
8. 8 . Process Evaluation & Technology Trend 31분
9. 9 . Diffusion의 개요 32분
10. 10 . 산화공정 개요 35분
11. 11 . Si/SiO2 계면과 산화막의 용도 26분
12. 12 . 산화 속도의 영향 요소와 SiO2/Si 계면 전하 28분
13. 13 . 불순물의 재분포와 Oxide Quality 요구 조건 28분
14. 14 . 확산의 정의 24분
15. 15 . ANNEAL 27분
16. 16 . 확산 공정의 측정, 평가 및 불량 유형 28분
