[반도체실무과정] 8대공정 시리즈
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . Photo 공정의 개요
2 . Track 구성/표면 처리/PR Spin Coating
3 . Soft bake/Alignment/Exposure
4 . PEB/Development/Hard bake/ADI 검사
5 . Resolution과 DOF/NA/광원과 파장
6 . Resolution 향상 방안 및 EUV/DPT/Q PT
7 . PSM/OPC
8 . Photo 현장 실무
9 . Photo 불량 사례 (1)
10 . Photo 불량 사례 (2)
11 . Etch 과정 개요와 Transister/CMOS Vertical 구조
12 . Etch 공정의 정의와 용어
13 . Etch 공정의 목적과 플라즈마의 개념
14 . 플라즈마의 생성과 특징
15 . 플라즈마의 종류와 응용, Dry Etch의 원리
16 . Dry 식각 방식의 이해와 요구사항
17 . Dry Etch 장비의 구조
18 . 건식 식각 공정
19 . 습식 식각 공정
20 . Etch 불량 사례와 Etch 엔지니어 실무
▶수료기준
항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
1. 1. Photo 공정의 개요 33분
2. 2. Track 구성표면 처리PR Spin Coating 25분
3. 3. Soft bakeAlignmentExposure 22분
4. 4. PEBDevelopmentHard bakeADI 검사 30분
5. 5. Resolution과 DOFNA광원과 파장 29분
6. 6. Resolution 향상 방안 및 EUVDPTQ PT 33분
7. 7. PSMOPC 26분
8. 8. Photo 현장 실무 27분
9. 9. Photo 불량 사례 (1) 23분
10. 10. Photo 불량 사례 (2) 30분
11. 11. Etch 과정 개요와 TransisterCMOS Vertical 구조 25분
12. 12. Etch 공정의 정의와 용어 25분
13. 13. Etch 공정의 목적과 플라즈마의 개념 26분
14. 14. 플라즈마의 생성과 특징 24분
15. 15. 플라즈마의 종류와 응용, Dry Etch의 원리 25분
16. 16. Dry 식각 방식의 이해와 요구사항 32분
17. 17. Dry Etch 장비의 구조 26분
18. 18. 건식 식각 공정 29분
19. 19. 습식 식각 공정 22분
20. 20. Etch 불량 사례와 Etch 엔지니어 실무 35분