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BJT와 MOS 이해하기
- 교육기간
- 30일
- 강의구성
- 16차시
BJT와 MOS에 대해 학습하는 과정
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . BJT(Bipolar Junction Transistor) 개념
2 . BJT의 collector 전류
3 . BJT의 전류 이득(current gain)
4 . BJT의 소신호 모델
5 . MOS capacitor
6 . MOS capacitor의 문턱 전압
7 . MOS capacitor의 C-V 특성
8 . MOSFET(MOS Field Effect Transistor)
9 . CMOS(Complementary MOS)
10 . Surface mobility & Body effect
11 . MOSFET I-V 모델
12 . CMOS 회로
13 . Transistor의 scaling
14 . Short Channel Effect
15 . 새로운 구조의 MOSFET
16 . Memory
▶수료기준
|
항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
|
평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
|
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. BJT에 대해 설명할 수 있다.2. MOS에 대해 설명할 수 있다.
강의목차(총 16강)
-
1. 1 . BJT(Bipolar Junction Transistor) 개념 31분
2. 2 . BJT의 collector 전류 28분
3. 3 . BJT의 전류 이득(current gain) 30분
4. 4 . BJT의 소신호 모델 22분
5. 5 . MOS capacitor 32분
6. 6 . MOS capacitor의 문턱 전압 27분
7. 7 . MOS capacitor의 C-V 특성 31분
8. 8 . MOSFET(MOS Field Effect Transistor) 29분
9. 9 . CMOS(Complementary MOS) 27분
10. 10 . Surface mobility & Body effect 34분
11. 11 . MOSFET I-V 모델 32분
12. 12 . CMOS 회로 33분
13. 13 . Transistor의 scaling 30분
14. 14 . Short Channel Effect 32분
15. 15 . 새로운 구조의 MOSFET 32분
16. 16 . Memory 35분
