PN junction에 대해 알아보는 과정
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . Crystal Silicon structure
2 . Effective mass & DOS
3 . Carrier Concentration
4 . charge neutrality
5 . carrier mobility
6 . Total current & energy band diagram
7 . Quasi-Fermi level
8 . 반도체 기본 공정 (1)
9 . 반도체 기본 공정 (2)
10 . 반도체 기본 공정 (3)
11 . PN 접합과 공핍 영역
12 . PN 접합과 전압 인가
13 . PN 접합의 붕괴
14 . 전류 연속 방정식
15 . PN 접합의 전류 특성
16 . 금속과 반도체의 접합
▶수료기준
항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
1. 1 . Crystal Silicon structure 31분
2. 2 . Effective mass & DOS 32분
3. 3 . Carrier Concentration 29분
4. 4 . charge neutrality 25분
5. 5 . carrier mobility 33분
6. 6 . Total current & energy band diagram 25분
7. 7 . Quasi-Fermi level 27분
8. 8 . 반도체 기본 공정 (1) 27분
9. 9 . 반도체 기본 공정 (2) 32분
10. 10 . 반도체 기본 공정 (3) 24분
11. 11 . PN 접합과 공핍 영역 30분
12. 12 . PN 접합과 전압 인가 31분
13. 13 . PN 접합의 붕괴 38분
14. 14 . 전류 연속 방정식 32분
15. 15 . PN 접합의 전류 특성 32분
16. 16 . 금속과 반도체의 접합 36분