DRAM 구조와 동작 원리
과정소개
DRAM의 구조와 동작 원리를 알아보는 과정
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . Memory introduction
2 . DRAM Market & fabrication process
3 . Basic concept(resistance/voltage)
4 . Basic concept(MOS capacitor/transistor)
5 . Basic fabrication process
6 . CMOS process flow
7 . DRAM cell
8 . DRAM frontend process flow
9 . DRAM backend process flow
10 . DRAM 3D cell/Test
11 . DRAM Package/component
12 . DRAM core/Sense Amp.
13 . DRAM refresh & timing
14 . DRAM history & DDR
15 . 6F2 and BL structure
16 . LPDDR/GDDR/HBM
▶수료기준
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항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
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평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
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수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. DRAM의 구조를 설명할 수 있다.
2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다.
2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다.
강의목차
| 차시 | 강의명 |
|---|---|
| 1차시 | 1. Memory introduction |
| 2차시 | 2. DRAM Market & fabrication process |
| 3차시 | 3. Basic concept(resistancevoltage) |
| 4차시 | 4. Basic concept(MOS capacitortransistor) |
| 5차시 | 5. Basic fabrication process |
| 6차시 | 6. CMOS process flow |
| 7차시 | 7. DRAM cell |
| 8차시 | 8. DRAM frontend process flow |
| 9차시 | 9. DRAM backend process flow |
| 10차시 | 10. DRAM 3D cellTest |
| 11차시 | 11. DRAM Packagecomponent |
| 12차시 | 12. DRAM coreSense Amp |
| 13차시 | 13. DRAM refresh & timing |
| 14차시 | 14. DRAM history & DDR |
| 15차시 | 15. 6F2 and BL structure |
| 16차시 | 16. LPDDRGDDRHBM |