3D-NAND flash의 이해 (중급)
과정소개
3D-NAND flash의 이해 (중급)
▶교육대상
- 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . NAND program operation
2 . Inhibit bias and Self-boosting
3 . Verify operation
4 . ISPP and MLC concept
5 . Back-gate tunneling and Excess program
6 . Block erase by FN tunneling
7 . Disturb and Cell-to-cell interference
8 . E/W cycle endurance and Data retention
9 . NAND controller
10 . NAND flash market & Foundry
11 . 3D-NAND concept
12 . 3D-NAND process architecture
13 . Summary (1)
14 . Summary (2)
15 . Summary (3)
16 . NAND flash memory chip function
▶수료기준
|
항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
|
평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
|
수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. 3D-NAND flash에 대해 설명할 수 있다.
강의목차
| 차시 | 강의명 |
|---|---|
| 1차시 | 1 . NAND program operation |
| 2차시 | 2 . Inhibit bias and Self-boosting |
| 3차시 | 3 . Verify operation |
| 4차시 | 4 . ISPP and MLC concept |
| 5차시 | 5 . Back-gate tunneling and Excess program |
| 6차시 | 6 . Block erase by FN tunneling |
| 7차시 | 7 . Disturb and Cell-to-cell interference |
| 8차시 | 8 . EW cycle endurance and Data retention |
| 9차시 | 9 . NAND controller |
| 10차시 | 10 . NAND flash market & Foundry |
| 11차시 | 11 . 3D-NAND concept |
| 12차시 | 12 . 3D-NAND process architecture |
| 13차시 | 13 . Summary (1) |
| 14차시 | 14 . Summary (2) |
| 15차시 | 15 . Summary (3) |
| 16차시 | 16 . NAND flash memory chip function |