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[반도체실무과정] 8대공정 불순물 주입 및 확산 공정

[반도체실무과정] 8대공정 불순물 주입 및 확산 공정

교육기간 30일
강의구성 16차시
교육비 120,000원

과정소개

[반도체실무과정] 8대공정 시리즈

 

교육대상

반도체 제조 공정 관련 직무 종사자

 

학습내용

1 . CMOS 소개와 Implant 용어 정리

2 . 이온 주입의 개요

3 . 이온 주입에 의한 농도분포

4 . Ion Implant Channeling

5 . 결함의 발생과 Annealing (1)

6 . 결함의 발생과 Annealing (2)

7 . 집적회로에의 응용

8 . Process Evaluation & Technology Trend

9 . Diffusion의 개요

10 . 산화공정 개요

11 . Si/SiO2 계면과 산화막의 용도

12 . 산화 속도의 영향 요소와 SiO2/Si 계면 전하

13 . 불순물의 재분포와 Oxide Quality 요구 조건

14 . 확산의 정의

15 . ANNEAL

16 . 확산 공정의 측정, 평가 및 불량 유형

 

▶수료기준

항목

진도율

진행단계평가

최종평가

과제

수료점수

평가비율

100%

0%

0%

0%

60점이상

수료조건

80%

없음

없음

없음

※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60 이상이어야 합니다.

학습목표

1. 반도체 8대공정 중 불순물 주입 및 확산 공정에 대해 설명할 수 있다.

강의목차

차시 강의명
1차시 1 . CMOS 소개와 Implant 용어 정리
2차시 2 . 이온 주입의 개요
3차시 3 . 이온 주입에 의한 농도분포
4차시 4 . Ion Implant Channeling
5차시 5 . 결함의 발생과 Annealing (1)
6차시 6 . 결함의 발생과 Annealing (2)
7차시 7 . 집적회로에의 응용
8차시 8 . Process Evaluation & Technology Trend
9차시 9 . Diffusion의 개요
10차시 10 . 산화공정 개요
11차시 11 . Si/SiO2 계면과 산화막의 용도
12차시 12 . 산화 속도의 영향 요소와 SiO2/Si 계면 전하
13차시 13 . 불순물의 재분포와 Oxide Quality 요구 조건
14차시 14 . 확산의 정의
15차시 15 . ANNEAL
16차시 16 . 확산 공정의 측정, 평가 및 불량 유형