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반도체 입문과 공학 기초 과정
▶교육대상
- 반도체 개발 공정 관련 직무 종사자
▶학습내용
1 . 최초의 컴퓨터 ENIAC
2 . 쿨롱의 법칙과 진공관
3 . 휴대폰과 반도체
4 . Digital 회로와 MOS transistor
5 . 전압, 전류 및 저항
6 . 회로패턴 형성의 원리
7 . 8대 공정과 플라즈마
8 . 최외각 전자와 도핑
9 . 실리콘웨이퍼와 반도체 제조원가
10 . Technology, Design rule
11 . 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM
12 . Mask revision과 반도체 제품의 분류
13 . 메모리의 구조 및 DRAM 동작원리
14 . Charge-sharing, DDR
15 . NOR, NAND flash memory
16 . MLC, 3D-NAND flash
17 . IDM, Fabless & Foundry
18 . 반도체 산업구조 및 System LSI Design flow
▶수료기준
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항목 |
진도율 |
진행단계평가 |
최종평가 |
과제 |
수료점수 |
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평가비율 |
100% |
0% |
0% |
0% |
60점이상 |
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수료조건 |
80% |
없음 |
없음 |
없음 |
※ 수료기준은 각 평가항목의 점수가 수료기준 점수 이상이고 총점이 60점 이상이어야 합니다.
학습목표
1. 반도체 입문과 공학 기초 과정을 이해하고 설명할 수 있다.강의목차(총 19강)
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1. 1. 최초의 컴퓨터 ENIAC 27분
2. 2. 쿨롱의 법칙과 진공관 29분
3. 3. 휴대폰과 반도체 24분
4. 4. Digital 회로와 MOS transistor 29분
5. 5. 전압, 전류 및 저항 28분
6. 6. 회로패턴 형성의 원리 28분
7. 7. 8대 공정과 플라즈마 29분
8. 8. 최외각 전자와 도핑 23분
9. 9. 실리콘웨이퍼와 반도체 제조원가 31분
10. 10. Technology, Design rule 33분
11. 11-1. 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM (1) 14분
12. 11-2. 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer probing, PCM(2) 10분
13. 12. Mask revision과 반도체 제품의 분류 26분
14. 13. 메모리의 구조 및 DRAM 동작원리 25분
15. 14. Charge-sharing, DDR 25분
16. 15. NOR, NAND flash memory 28분
17. 16. MLC, 3D-NAND flash 24분
18. 17. IDM, Fabless & Foundry 25분
19. 18. 반도체 산업구조 및 System LSI Design flow 41분
